Оперативная память 4GB MT18KDF51272PDZ-1G6K1LE
Артикул:
MT18KDF51272PDZ-1G6K1LE [Bouz]
Категория
Поставщик
ООО "Б"
Телефон поставщика
+7 (495) 492-45-23
Email поставщика
sales@b.ru
Сайт поставщика
https://b.ru/
Наличие
Под заказ
Поставщик
Свяжитесь с нами насчет цены
Оперативная память 4GB 1333MHz DDR3 ECC CL9 DIMM
Технические характеристики
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1333 МГц
Пропускная способность 10600 Мб/с
Объем 1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC есть
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
CAS Latency (CL) 9
RAS to CAS Delay (tRCD) 9
Row Precharge Delay (tRP) 9
Количество чипов каждого модуля 18, двусторонняя упаковка
Напряжение питания 1.5 В
Технические характеристики
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1333 МГц
Пропускная способность 10600 Мб/с
Объем 1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC есть
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
CAS Latency (CL) 9
RAS to CAS Delay (tRCD) 9
Row Precharge Delay (tRP) 9
Количество чипов каждого модуля 18, двусторонняя упаковка
Напряжение питания 1.5 В
Характеристики:
-
Базовая единицашт
-
Объем модуля DRAM, Гб4
-
Поддержка ECC памятиДа
-
ПроизводительKingston
-
Тип оперативной памятиDDR3
-
Тип устройстваПамять
-
ПоставщикООО "Б"
-
Телефон поставщика+7 (495) 492-45-23
-
Email поставщикаsales@b.ru
-
Сайт поставщикаhttps://b.ru/