Оперативная память Hynix 4GB DDR3-1333 ECC UDIMM, HMT351U7CFR8A-H9
Оперативная память Hynix 4GB DDR3-1333 ECC UDIMM, HMT351U7CFR8A-H9
Артикул:
HMT351U7CFR8A-H9 [Bouz]
Категория
Поставщик
ООО "Б"
Телефон поставщика
+7 (495) 492-45-430
Email поставщика
sales@b.ru
Сайт поставщика
https://b.ru/
Наличие
Есть в наличии (
9999
)
Поставщик
8 334
руб.
Оперативная память Hynix 8GB DDR3, HMT31GR7CFR4C-PB
Объем модуля 8GB
Тип памяти DDR3 Registered
Ранги 2
Частота работы 1600 Mhz
Напряжение работы 1.5V
Объем модуля 8GB
Тип памяти DDR3 Registered
Ранги 2
Частота работы 1600 Mhz
Напряжение работы 1.5V
Характеристики:
-
Базовая единицашт
-
Объем модуля DRAM, Гб4
-
Поддержка ECC памятиДа
-
ПроизводительHynix
-
Тип оперативной памятиDDR3
-
Тип устройстваПамять
-
ПоставщикООО "Б"
-
Телефон поставщика+7 (495) 492-45-430
-
Email поставщикаsales@b.ru
-
Сайт поставщикаhttps://b.ru/
Похожие товары
}} "Оперативная память IBM 8GB PC3-8500 DDR3 ECC, 46C7499 46C7499")
}} "Оперативная память IBM 4GB (1x4GB) 1333MHz DDR3 Reg, 49Y1445 49Y1445")
}} "Оперативная память Kingston 16GB DDR4 PC4-19200 2400MHz, KSM24ED8/16ME KSM24ED8-16ME")
}} "Оперативная память HPE 16GB (1x16GB) PC3-12800R DDR3-1600, OEM, no smart, 672633-B21 672633-B21")
}} "Оперативная память Samsung 64GB, M393A8G40AB2-CWEBY M393A8G40AB2-CWEBY")
}} "Оперативная память Dell 32GB RDIMM, 370-AEQI 370-AEQI")
}} "Оперативная память Cisco UCS-ML-1X324RU-A UCS-ML-1X324RU-A")
}} "Оперативная память HP 8GB (1x8GB) Dual Rank x4 PC3L-10600 (DDR3-1333), 605313-071 604506-B21 604506-B21")
}} "Оперативная память Samsung SAMSUNG 8GB DDR3-1866, M393B1K70DH0-CMA M393B1K70DH0-CMA")
}} "Оперативная память IBM 4Gb 1333 ECC VLP RDIMM, 43X5313, 46C0575 43X5313")