Оперативная память Kingston 8Gb DDR3 1600MHz (PC3-12800) 1600MHz ECC DIMM, KVR16E11/8
Артикул:
KVR16E11-8 [Bouz]
Категория
Поставщик
ООО "Б"
Телефон поставщика
+7 (495) 492-45-298
Email поставщика
sales@b.ru
Сайт поставщика
https://b.ru/
Наличие
Есть в наличии (
9999
)
Поставщик
6 945
руб.
Оперативная память Kingston 8Gb DDR3 1600MHz (PC3-12800) 1600MHz ECC DIMM, KVR16E11/8 доступен для заказа. Вы можете купить модуль оперативной памяти KVR16E11/8 по самой низкой цене. Также вы можете оформить доставку памяти по России и СНГ.
Характеристики:
1 модуль памяти DDR3.
Объем модуля: 8 Гб.
Форм-фактор DIMM, 240-контактный.
Частота: 1600 МГц.
Поддержка ECC: да.
CAS Latency (CL): 11.
Тип памяти: DDR3.
Форм-фактор: DIMM 240-контактный.
Тактовая частота: 1600 МГц.
Пропускная способность: 12800 Мб/с.
Объем: 1 модуль 8 Гб.
Поддержка ECC: есть.
Буферизованная (Registered): нет.
Низкопрофильная (Low Profile): нет.
CAS Latency (CL): 11.
RAS to CAS Delay (tRCD): 11.
Row Precharge Delay (tRP): 11.
Количество чипов каждого модуля 18, двусторонняя упаковка.
Напряжение питания: 1.5 В.
Количество ранков: 2.
Характеристики:
1 модуль памяти DDR3.
Объем модуля: 8 Гб.
Форм-фактор DIMM, 240-контактный.
Частота: 1600 МГц.
Поддержка ECC: да.
CAS Latency (CL): 11.
Тип памяти: DDR3.
Форм-фактор: DIMM 240-контактный.
Тактовая частота: 1600 МГц.
Пропускная способность: 12800 Мб/с.
Объем: 1 модуль 8 Гб.
Поддержка ECC: есть.
Буферизованная (Registered): нет.
Низкопрофильная (Low Profile): нет.
CAS Latency (CL): 11.
RAS to CAS Delay (tRCD): 11.
Row Precharge Delay (tRP): 11.
Количество чипов каждого модуля 18, двусторонняя упаковка.
Напряжение питания: 1.5 В.
Количество ранков: 2.
Характеристики:
-
Базовая единицашт
-
Объем модуля DRAM, Гб8
-
Поддержка ECC памятиДа
-
ПроизводительKingston
-
Тактовая частота памяти1600NHz
-
Тип оперативной памятиDDR3
-
Тип устройстваПамять
-
Форм-фактор памятиDIMM
-
ПоставщикООО "Б"
-
Телефон поставщика+7 (495) 492-45-298
-
Email поставщикаsales@b.ru
-
Сайт поставщикаhttps://b.ru/