Оперативная память Kingston 8Gb DDR4 DIMM PC4-21300 CL19, KVR26N19S8/8
Оперативная память Kingston 8Gb DDR4 DIMM PC4-21300 CL19, KVR26N19S8/8
Артикул:
KVR26N19S8-8 [Bouz]
Категория
Поставщик
ООО "Б"
Телефон поставщика
+7 (495) 492-45-43
Email поставщика
sales@b.ru
Сайт поставщика
https://b.ru/
Наличие
Есть в наличии (
9999
)
Поставщик
6 945
руб.
Оперативная память KVR26N19S8/8 имеет емкость 8 ГБ, класс DDR4.
Основные характеристики
Стандарт: DDR4.
Форм-фактор: DIMM.
Объем одного модуля: 8 ГБ.
Количество модулей в комплекте: 1 шт.
Суммарный объем: 8 ГБ.
Эффективная частота работы модуля: 2666 МГц.
Пропускная способность: 21300 Мб/с.
Поддержка ECC: Нет.
Буферизованная (регистровая): Нет.
Низкопрофильная: Нет.
Количество чипов на модуле: 8 шт.
Количество контактов: 288.
Количество ранков: 1.
Тайминги:
CAS Latency (CL): 19.
RAS to CAS Delay (tRCD): 19.
Row Precharge Delay (tRP): 19.
Напряжение питания: 1.2 В.
Нормальная операционная температура (Tcase): 85 °C.
Расширенная операционная температура (Tcase): 95 °C.
Компоновка чипов на модуле: Односторонняя.
Радиатор: Нет.
Габариты: 133.35 x 31.25 мм.
Купить модуль памяти Kingston по выгодной цене вы можете на нашем сайте. Оперативная память KVR26N19S8/8 доступна для заказа с доставкой по России.
Основные характеристики
Стандарт: DDR4.
Форм-фактор: DIMM.
Объем одного модуля: 8 ГБ.
Количество модулей в комплекте: 1 шт.
Суммарный объем: 8 ГБ.
Эффективная частота работы модуля: 2666 МГц.
Пропускная способность: 21300 Мб/с.
Поддержка ECC: Нет.
Буферизованная (регистровая): Нет.
Низкопрофильная: Нет.
Количество чипов на модуле: 8 шт.
Количество контактов: 288.
Количество ранков: 1.
Тайминги:
CAS Latency (CL): 19.
RAS to CAS Delay (tRCD): 19.
Row Precharge Delay (tRP): 19.
Напряжение питания: 1.2 В.
Нормальная операционная температура (Tcase): 85 °C.
Расширенная операционная температура (Tcase): 95 °C.
Компоновка чипов на модуле: Односторонняя.
Радиатор: Нет.
Габариты: 133.35 x 31.25 мм.
Купить модуль памяти Kingston по выгодной цене вы можете на нашем сайте. Оперативная память KVR26N19S8/8 доступна для заказа с доставкой по России.
Характеристики:
-
Базовая единицашт
-
Вес25
-
Высота4 мм
-
Высота упаковки10 мм
-
Глубина37 мм
-
Глубина упаковки50 мм
-
Масса брутто30 г
-
Объем модуля DRAM, Гб8
-
ПроизводительKingston
-
Размеры (ШхГхВ)134 x 32 х 10
-
Тип оперативной памятиDDR4
-
Тип устройстваПамять
-
Ширина130 мм
-
Ширина упаковки160 мм
-
ПоставщикООО "Б"
-
Телефон поставщика+7 (495) 492-45-43
-
Email поставщикаsales@b.ru
-
Сайт поставщикаhttps://b.ru/
Похожие товары
}} "Оперативная память KTH-PL424S/16G KTH-PL424S-16G")
}} "Оперативная память HP 8Gb DDR4 2133MHz ECC Reg 803028-B21")
}} "Оперативная память HPE 16GB Dual Rank DDR4-2133 Unbuffered, 805671-B21 805671-B21")
}} "49Y3746 Оперативная память IBM Lenovo 49Y3746 49Y3746")
}} "Оперативная память Lenovo 8GB PC3L-8500 ECC DDR3 1066MHz, 49Y1399 49Y1399")
}} "Оперативная память Lenovo 8GB 1xGB, 2Rx4, PC3-10600 CL9, 49Y1415 49Y1415")
}} "Оперативная память 501534-001 HP 4GB DDR3 1333MHZECC REGISTERED CAS 9 501534-001")
}} "Оперативная память Hynix 64GB DDR4 2933 MT/s HMAA8GR7MJR4N-WMTG HMAA8GR7MJR4N-WMTG")
}} "Оперативная память Hynix 16GB DDR3 1600MHz, HMT82GV7DMR4A-PB HMT82GV7DMR4A-PB")
}} "Оперативная память A02-M316GB1-L Cisco 16GB DDR3-1333MHz RDIMM/PC3-10600/dual rank/Low-Dual Volt A02-M316GB1-L")