Оперативная память Samsung 16GB DDR4-2666, M393A2K40CB2-CTD6Y
Оперативная память Samsung 16GB DDR4-2666, M393A2K40CB2-CTD6Y
Артикул:
M393A2K40CB2-CTD6Y [Bouz]
Категория
Поставщик
ООО "Б"
Телефон поставщика
+7 (495) 492-45-599
Email поставщика
sales@b.ru
Сайт поставщика
https://b.ru/
Наличие
Под заказ
Поставщик
Свяжитесь с нами насчет цены
Оперативная память Samsung 16GB DDR4-2666, M393A2K40CB2-CTD
Объем модуля 16GB
Тип памяти DDR4 RDIMM
Скорость 2666 Mbps
Ранги 1R x 4
Напряжение работы 1.2 V
Объем модуля 16GB
Тип памяти DDR4 RDIMM
Скорость 2666 Mbps
Ранги 1R x 4
Напряжение работы 1.2 V
Характеристики:
-
Базовая единицашт
-
Объем модуля DRAM, Гб16
-
Поддержка ECC памятиДа
-
ПроизводительSamsung
-
Тип оперативной памятиDDR4
-
Тип устройстваПамять
-
ПоставщикООО "Б"
-
Телефон поставщика+7 (495) 492-45-599
-
Email поставщикаsales@b.ru
-
Сайт поставщикаhttps://b.ru/
Похожие товары
}} "Оперативная память KTH-PL424S/16G KTH-PL424S-16G")
}} "Оперативная память HP 8Gb DDR4 2133MHz ECC Reg 803028-B21")
}} "Оперативная память HPE 16GB Dual Rank DDR4-2133 Unbuffered, 805671-B21 805671-B21")
}} "49Y3746 Оперативная память IBM Lenovo 49Y3746 49Y3746")
}} "Оперативная память Lenovo 8GB PC3L-8500 ECC DDR3 1066MHz, 49Y1399 49Y1399")
}} "Оперативная память Lenovo 8GB 1xGB, 2Rx4, PC3-10600 CL9, 49Y1415 49Y1415")
}} "Оперативная память 501534-001 HP 4GB DDR3 1333MHZECC REGISTERED CAS 9 501534-001")
}} "Оперативная память Hynix 64GB DDR4 2933 MT/s HMAA8GR7MJR4N-WMTG HMAA8GR7MJR4N-WMTG")
}} "Оперативная память Hynix 16GB DDR3 1600MHz, HMT82GV7DMR4A-PB HMT82GV7DMR4A-PB")
}} "Оперативная память A02-M316GB1-L Cisco 16GB DDR3-1333MHz RDIMM/PC3-10600/dual rank/Low-Dual Volt A02-M316GB1-L")