Оперативная память Samsung 16GB DDR4-2666 RDIMM PC4-21300V-R Single Rank x4 , M393A2K40BB2-CTD7Y
Оперативная память Samsung 16GB DDR4-2666 RDIMM PC4-21300V-R Single Rank x4 , M393A2K40BB2-CTD7Y
Артикул:
M393A2K40BB2-CTD7Y [Bouz]
Категория
Поставщик
ООО "Б"
Телефон поставщика
+7 (495) 492-45-18
Email поставщика
sales@b.ru
Сайт поставщика
https://b.ru/
Наличие
Есть в наличии (
9999
)
Поставщик
8 533
руб.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4, M393A2K40BB2-CTD.
Стандарт: DDR4.
Форм-фактор: DIMM.
Объем одного модуля: 16 ГБ.
Количество модулей в комплекте: 1 шт.
Суммарный объем: 16 ГБ.
Эффективная частота: 2666 МГц.
Пропускная способность: 21300 Мб/с.
Поддержка ECC: Есть.
Буферизованная (регистровая): Есть.
Низкопрофильная: Нет.
Количество чипов на модуле: 18 шт
Количество контактов: 288.
Количество ранков: 1.
Напряжение питания: 1.2 В.
Компоновка чипов на модуле: Двусторонняя.
Размеры: 133.35 x 31.25 мм.
Тайминги
CAS Latency (CL): 19.
RAS to CAS Delay (tRCD): 19.
Row Precharge Delay (tRP): 19.
Activate to Precharge Delay (tRAS): 32.
Стандарт: DDR4.
Форм-фактор: DIMM.
Объем одного модуля: 16 ГБ.
Количество модулей в комплекте: 1 шт.
Суммарный объем: 16 ГБ.
Эффективная частота: 2666 МГц.
Пропускная способность: 21300 Мб/с.
Поддержка ECC: Есть.
Буферизованная (регистровая): Есть.
Низкопрофильная: Нет.
Количество чипов на модуле: 18 шт
Количество контактов: 288.
Количество ранков: 1.
Напряжение питания: 1.2 В.
Компоновка чипов на модуле: Двусторонняя.
Размеры: 133.35 x 31.25 мм.
Тайминги
CAS Latency (CL): 19.
RAS to CAS Delay (tRCD): 19.
Row Precharge Delay (tRP): 19.
Activate to Precharge Delay (tRAS): 32.
Характеристики:
-
Базовая единицашт
-
Объем модуля DRAM, Гб16
-
Поддержка ECC памятиДа
-
ПроизводительSamsung
-
Тип оперативной памятиDDR4
-
Тип устройстваПамять
-
ПоставщикООО "Б"
-
Телефон поставщика+7 (495) 492-45-18
-
Email поставщикаsales@b.ru
-
Сайт поставщикаhttps://b.ru/
Похожие товары
}} "Оперативная память Kingston KVR16N11/8WP KVR16N11-8WP")
}} "Оперативная память Kingston KVR24R17D4/16 KVR24R17D4-16")
}} "Оперативная память Samsung SAMSUNG 8GB DDR3-1866, M393B1K70DH0-CMA M393B1K70DH0-CMA")
}} "Оперативная память Samsung 32GB DDR4 RDIMM M393A4K40DB3-CWE M393A4K40DB3-CWE")
}} "Оперативная память Fujitsu 8GB (1x8GB) 1Rx4 L DDR3-1600 R ECC, S26361-F3781-E6 S26361-F3781-E6")
}} "Оперативная память HP 64GB DDR4-2666 840759-091 840759-091")
}} "Оперативная память HPE 64GB DDR4-2933 RDIMM PC4-23466U-R, P03053-0A1 P03053-0A1")
}} "Оперативная память HP DDRIII DIMM/16Gb/PC-10600/ECC, 628974-081, 632204-001, 627812-B21 627812-B21")
}} "Оперативная память Micron 64GB DDR4 PC23400 (2933MHz) MTA36ASF8G72PZ-2G9E1 MTA36ASF8G72PZ-2G9E1")
}} "Оперативная память Samsung 64Gb DDR4 3200MHz M393A8G40BB4-CWE M393A8G40BB4-CWE")