Оперативная память Samsung 16GB DDR4, M393A2K40BB2-CTD PULLED
Оперативная память Samsung 16GB DDR4, M393A2K40BB2-CTD PULLED
Артикул:
M393A2K40BB2-CTD-PULLED [Bouz]
Категория
Поставщик
ООО "Б"
Телефон поставщика
+7 (495) 492-45-106
Email поставщика
sales@b.ru
Сайт поставщика
https://b.ru/
Наличие
Есть в наличии (
9999
)
Поставщик
18 753
руб.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4, M393A2K40BB2-CTD.
Стандарт: DDR4.
Форм-фактор: DIMM.
Объем одного модуля: 16 ГБ.
Количество модулей в комплекте: 1 шт.
Суммарный объем: 16 ГБ.
Эффективная частота: 2666 МГц.
Пропускная способность: 21300 Мб/с.
Поддержка ECC: Есть.
Буферизованная (регистровая): Есть.
Низкопрофильная: Нет.
Количество чипов на модуле: 18 шт
Количество контактов: 288.
Количество ранков: 1.
Напряжение питания: 1.2 В.
Компоновка чипов на модуле: Двусторонняя.
Размеры: 133.35 x 31.25 мм.
Тайминги
CAS Latency (CL): 19.
RAS to CAS Delay (tRCD): 19.
Row Precharge Delay (tRP): 19.
Activate to Precharge Delay (tRAS): 32.
Стандарт: DDR4.
Форм-фактор: DIMM.
Объем одного модуля: 16 ГБ.
Количество модулей в комплекте: 1 шт.
Суммарный объем: 16 ГБ.
Эффективная частота: 2666 МГц.
Пропускная способность: 21300 Мб/с.
Поддержка ECC: Есть.
Буферизованная (регистровая): Есть.
Низкопрофильная: Нет.
Количество чипов на модуле: 18 шт
Количество контактов: 288.
Количество ранков: 1.
Напряжение питания: 1.2 В.
Компоновка чипов на модуле: Двусторонняя.
Размеры: 133.35 x 31.25 мм.
Тайминги
CAS Latency (CL): 19.
RAS to CAS Delay (tRCD): 19.
Row Precharge Delay (tRP): 19.
Activate to Precharge Delay (tRAS): 32.
Характеристики:
-
Базовая единицашт
-
Объем модуля DRAM, Гб16
-
Поддержка ECC памятиДа
-
ПроизводительSamsung
-
Тип оперативной памятиDDR4
-
Тип устройстваПамять
-
ПоставщикООО "Б"
-
Телефон поставщика+7 (495) 492-45-106
-
Email поставщикаsales@b.ru
-
Сайт поставщикаhttps://b.ru/
Похожие товары
}} "Оперативная память Kingston 64GB DDR4 3200МГц KSM32RD4/64HCR KSM32RD4-64HCR")
}} "Оперативная память Huawei 64GB DDR4 LRDIMM 2400MT/s, 06200243 6200243")
}} "Оперативная память Dell 32GB RDIMM Dual Rank x4 2400MHz, 370-ACNS 370-ACNS")
}} "Оперативная память Kingston 16GB DDR4 3200MT/s ECC KSM32ES8/16MF KSM32ES8-16MF")
}} "Оперативная память Hynix 16GB DDR4 2933MHz Reg ECC, HMA82GR7JJR4N-WM HMA82GR7JJR4N-WM")
}} "397411-B21 Оперативная память HP 2GB (2x1GB) DDR2-667MHz ECC Fully Buffered 397411-B21")
}} "Оперативная память Samsung DDR4 32GB PC4-19200 2400MHz CL17, M393A4K40BB1-CRC M393A4K40BB1-CRC")
}} "Оперативная память HP 8Gb DDR3 1600mHz CL11 Dual Rank x4 REG/ECC/1.5v, 698807-001 698807-001")
}} "Оперативная память Hynix 16GB 2Rx4 REG ECC PC4-19200T-L, HMA42GR7AFR4N-UH HMA42GR7AFR4N-UH")
![HMT31GR7CFR4A-H9 Оперативная память Hynix 8Gb DDR-III 1600MHz Hynix ECC Reg [HMT31GR7CFR4A-H9] HMT31GR7CFR4A-H9]({{productViewItem.getPictureByViewMode([{PathSmall: 'http://kit4s.ru/pictures/product/small/3230_small.jpg'}], 'small', 'Carousel')}} "HMT31GR7CFR4A-H9 Оперативная память Hynix 8Gb DDR-III 1600MHz Hynix ECC Reg [HMT31GR7CFR4A-H9] HMT31GR7CFR4A-H9")