Оперативная память Samsung 8Gb 2600MHz DIMM DDR4 M378A1K43CB2-CTD
Оперативная память Samsung 8Gb 2600MHz DIMM DDR4 M378A1K43CB2-CTD
Артикул:
M378A1K43CB2-CTD [Bouz]
Категория
Поставщик
ООО "Б"
Телефон поставщика
+7 (495) 492-45-72
Email поставщика
sales@b.ru
Сайт поставщика
https://b.ru/
Наличие
Есть в наличии (
9999
)
Поставщик
5 358
руб.
Оперативная память Samsung 8Gb 2600MHz DIMM DDR4 M378A1K43CB2-CTD - это надежное и высококачественное решение для повышения производительности вашего компьютера. С этим модулем памяти от Samsung вы сможете значительно ускорить работу вашей системы и повысить эффективность выполнения задач.
Данная оперативная память обладает внушительным объемом 8 Гб, что позволит запускать множество приложений одновременно без потерь в производительности. С частотой 2600МГц и поддержкой стандарта DDR4, модуль обеспечивает быструю передачу данных и оптимальное функционирование вашего компьютера.
Модуль Samsung 8Gb 2600MHz DIMM DDR4 M378A1K43CB2-CTD легко устанавливается и совместим с большинством современных систем. Благодаря надежности и долговечности продукции Samsung, вы можете быть уверены в стабильной работе вашего оборудования.
Характеристики:
Объем: 8 Гб
Тип памяти: DDR4
Частота: 2666 МГц
Стандарт: PC4-21300
Задержка CAS: CL19
Тип разъема: DIMM 288-pin
Ранг: dual rank
Напряжение: 1.2 В
Данная оперативная память обладает внушительным объемом 8 Гб, что позволит запускать множество приложений одновременно без потерь в производительности. С частотой 2600МГц и поддержкой стандарта DDR4, модуль обеспечивает быструю передачу данных и оптимальное функционирование вашего компьютера.
Модуль Samsung 8Gb 2600MHz DIMM DDR4 M378A1K43CB2-CTD легко устанавливается и совместим с большинством современных систем. Благодаря надежности и долговечности продукции Samsung, вы можете быть уверены в стабильной работе вашего оборудования.
Характеристики:
Объем: 8 Гб
Тип памяти: DDR4
Частота: 2666 МГц
Стандарт: PC4-21300
Задержка CAS: CL19
Тип разъема: DIMM 288-pin
Ранг: dual rank
Напряжение: 1.2 В
Характеристики:
-
Базовая единицашт
-
Время задержки CAS19
-
Напряжение питания1.2 В
-
Объем модуля DRAM, Гб8
-
Поддержка ECC памятиДа
-
ПроизводительSamsung
-
Тактовая частота памяти2666 МГц
-
Тип оперативной памятиDDR4
-
Тип устройстваПамять
-
Форм-фактор памятиDIMM
-
ПоставщикООО "Б"
-
Телефон поставщика+7 (495) 492-45-72
-
Email поставщикаsales@b.ru
-
Сайт поставщикаhttps://b.ru/
Похожие товары
}} "Оперативная память Kingston KVR1333D3LD4R9S/16G KVR1333D3LD4R9S-16G")
}} "Оперативная память Dell 8GB DIMM 1333MHz DDR3, 2HF92 2HF92")
}} "Оперативная память Cisco UCS-MR-1X082RX-A UCS-MR-1X082RX-A")
}} "Оперативная память Samsung 128GB DDR4-2933 ECC, M393AAG40M3B-CYF M393AAG40M3B-CYF")
}} "Оперативная память IBM 4GB PC3L-10600 CL9 ECC DDR3 1333MHz LP RDIMM, 49Y1407 49Y1407")
}} "Оперативная память Samsung 32GB DDR4-2400 PC4-19200 ECC, M393A4K40BB1-CRC4Q M393A4K40BB1-CRC4Q")
}} "Оперативная память HPE 16GB Single Rank x4 DDR4-3200 CAS-22-22-22 Registered Smart Memory Kit P07640-B21")
}} "Оперативная Память DDR4 Kingston KVR21R15S8/4 KVR21R15S8-4")
}} "Оперативная память Dell 8GB Dual Rank LV RDIMM 1600MHz, 370-AAFRr 370-AAFRr")
}} "Оперативная память Samsung 16GB DDR4-2666, M393A2K40CB2-CTD6Y M393A2K40CB2-CTD6Y")