Оперативная память Samsung M386A8K40BM2-CTD7Q
Оперативная память Samsung M386A8K40BM2-CTD7Q
Артикул:
M386A8K40BM2-CTD7Q [Bouz]
Категория
Поставщик
ООО "Б"
Телефон поставщика
+7 (495) 492-45-33
Email поставщика
sales@b.ru
Сайт поставщика
https://b.ru/
Наличие
Под заказ
Поставщик
Свяжитесь с нами насчет цены
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 2666MHz M386A8K40BM2-CTD7Y - это высокопроизводительный модуль, обеспечивающий эффективную работу современных систем. Благодаря объёму в 64 ГБ и скорости передачи данных до 2666 МГц, данная память позволит вашему устройству справляться с самыми ресурсоёмкими задачами.
Технология DDR4 обеспечивает улучшенную энергоэффективность, повышенную пропускную способность шины и снижение энергопотребления по сравнению с предыдущими поколениями оперативной памяти. Это делает модули Samsung идеальным выбором для сборки современных систем.
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 2666MHz M386A8K40BM2-CTD7Y отличается высоким качеством сборки и надёжностью. Усовершенствованная система охлаждения гарантирует стабильную работу даже в условиях высоких нагрузок. Модули имеют фирменную гарантию производителя, что подтверждает уверенность в их долговечности.
Характеристики:
Объем: 64 ГБ
Тип памяти: DDR4
Частота: 2666 МГц
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей: 1
Напряжение питания: 1.2 В
Латентность (CAS Latency): 19
Рабочее напряжение: 1.2 В
Интерфейс: 288-контактный
Охлаждение: Пассивное
Технология DDR4 обеспечивает улучшенную энергоэффективность, повышенную пропускную способность шины и снижение энергопотребления по сравнению с предыдущими поколениями оперативной памяти. Это делает модули Samsung идеальным выбором для сборки современных систем.
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 2666MHz M386A8K40BM2-CTD7Y отличается высоким качеством сборки и надёжностью. Усовершенствованная система охлаждения гарантирует стабильную работу даже в условиях высоких нагрузок. Модули имеют фирменную гарантию производителя, что подтверждает уверенность в их долговечности.
Характеристики:
Объем: 64 ГБ
Тип памяти: DDR4
Частота: 2666 МГц
Форм-фактор: DIMM
Количество модулей: 1
Напряжение питания: 1.2 В
Латентность (CAS Latency): 19
Рабочее напряжение: 1.2 В
Интерфейс: 288-контактный
Охлаждение: Пассивное
Характеристики:
-
Базовая единицашт
-
Объем модуля DRAM, Гб64
-
Поддержка ECC памятиДа
-
ПроизводительSamsung
-
Тактовая частота памяти2666 MHz
-
Тип оперативной памятиDDR4
-
Тип устройстваПамять
-
Форм-фактор памятиLRDIMM
-
ПоставщикООО "Б"
-
Телефон поставщика+7 (495) 492-45-33
-
Email поставщикаsales@b.ru
-
Сайт поставщикаhttps://b.ru/
Похожие товары
}} "Оперативная память Kingston 64GB DDR4 3200МГц KSM32RD4/64HCR KSM32RD4-64HCR")
}} "Оперативная память Huawei 64GB DDR4 LRDIMM 2400MT/s, 06200243 6200243")
}} "Оперативная память Dell 32GB RDIMM Dual Rank x4 2400MHz, 370-ACNS 370-ACNS")
}} "Оперативная память Kingston 16GB DDR4 3200MT/s ECC KSM32ES8/16MF KSM32ES8-16MF")
}} "Оперативная память Hynix 16GB DDR4 2933MHz Reg ECC, HMA82GR7JJR4N-WM HMA82GR7JJR4N-WM")
}} "397411-B21 Оперативная память HP 2GB (2x1GB) DDR2-667MHz ECC Fully Buffered 397411-B21")
}} "Оперативная память Samsung DDR4 32GB PC4-19200 2400MHz CL17, M393A4K40BB1-CRC M393A4K40BB1-CRC")
}} "Оперативная память HP 8Gb DDR3 1600mHz CL11 Dual Rank x4 REG/ECC/1.5v, 698807-001 698807-001")
}} "Оперативная память Hynix 16GB 2Rx4 REG ECC PC4-19200T-L, HMA42GR7AFR4N-UH HMA42GR7AFR4N-UH")
![HMT31GR7CFR4A-H9 Оперативная память Hynix 8Gb DDR-III 1600MHz Hynix ECC Reg [HMT31GR7CFR4A-H9] HMT31GR7CFR4A-H9]({{productViewItem.getPictureByViewMode([{PathSmall: 'http://kit4s.ru/pictures/product/small/3230_small.jpg'}], 'small', 'Carousel')}} "HMT31GR7CFR4A-H9 Оперативная память Hynix 8Gb DDR-III 1600MHz Hynix ECC Reg [HMT31GR7CFR4A-H9] HMT31GR7CFR4A-H9")