Оперативная память Samsung M393B5270CH0-YH9Q4
Оперативная память Samsung M393B5270CH0-YH9Q4
Артикул:
M393B5270CH0-YH9Q4 [Bouz]
Категория
Поставщик
ООО "Б"
Телефон поставщика
+7 (495) 492-45-104
Email поставщика
sales@b.ru
Сайт поставщика
https://b.ru/
Наличие
Под заказ
Поставщик
Свяжитесь с нами насчет цены
Оперативная память Samsung M393B5270CH0-YH9Q4 доступна для заказа. Вы можете купить M393B5270CH0-YH9Q4 по самой выгодной цене. Технические специалисты помогут вам с подбором оборудования по вашему запросу.
Оперативная память Samsung M393B5270CH0-YH9Q4 – это модуль памяти, созданный компанией Samsung. Он предназначен для использования в серверных системах и обладает высокой производительностью и надежностью.
Модуль поддерживает скорость передачи данных DDR3-1333, что позволяет эффективно обмениваться данными между процессором и памятью. M393B5270CH0-YH9Q4 соответствует стандарту DIMM (Dual In-Line Memory Module) и имеет 240-контактный разъем. Это позволяет его просто устанавливать и заменять в совместимых системах.
Модуль работает при напряжении питания 1,5 вольт, что обеспечивает энергоэффективность и снижение потребления электроэнергии.
Характеристики:
Тип оборудования: Модуль памяти Registered DDR3
Объем модуля памяти: 4 Гб
Форм-фактор памяти: DIMM
Частота функционирования до 1333 МГц
Стандарт памяти: PC3L-10600 (DDR3 1333 МГц)
Пропускная способность памяти: 10600 Мб/сек
Тайминги памяти: 7-7-7-20
Memory rank: single
Поддержка ECC: Есть
Напряжение питания: 1.35 В
Оперативная память Samsung M393B5270CH0-YH9Q4 – это модуль памяти, созданный компанией Samsung. Он предназначен для использования в серверных системах и обладает высокой производительностью и надежностью.
Модуль поддерживает скорость передачи данных DDR3-1333, что позволяет эффективно обмениваться данными между процессором и памятью. M393B5270CH0-YH9Q4 соответствует стандарту DIMM (Dual In-Line Memory Module) и имеет 240-контактный разъем. Это позволяет его просто устанавливать и заменять в совместимых системах.
Модуль работает при напряжении питания 1,5 вольт, что обеспечивает энергоэффективность и снижение потребления электроэнергии.
Характеристики:
Тип оборудования: Модуль памяти Registered DDR3
Объем модуля памяти: 4 Гб
Форм-фактор памяти: DIMM
Частота функционирования до 1333 МГц
Стандарт памяти: PC3L-10600 (DDR3 1333 МГц)
Пропускная способность памяти: 10600 Мб/сек
Тайминги памяти: 7-7-7-20
Memory rank: single
Поддержка ECC: Есть
Напряжение питания: 1.35 В
Характеристики:
-
Базовая единицашт
-
Напряжение питания1.35 В
-
Объем модуля DRAM, Гб4
-
Поддержка ECC памятиДа
-
ПроизводительSamsung
-
Тактовая частота памяти1333 МГц
-
Тип оперативной памятиDDR3
-
Тип устройстваПамять
-
Форм-фактор памятиDIMM
-
ПоставщикООО "Б"
-
Телефон поставщика+7 (495) 492-45-104
-
Email поставщикаsales@b.ru
-
Сайт поставщикаhttps://b.ru/
Похожие товары
}} "Оперативная память KTH-PL424S/16G KTH-PL424S-16G")
}} "Оперативная память HP 8Gb DDR4 2133MHz ECC Reg 803028-B21")
}} "Оперативная память HPE 16GB Dual Rank DDR4-2133 Unbuffered, 805671-B21 805671-B21")
}} "49Y3746 Оперативная память IBM Lenovo 49Y3746 49Y3746")
}} "Оперативная память Lenovo 8GB PC3L-8500 ECC DDR3 1066MHz, 49Y1399 49Y1399")
}} "Оперативная память Lenovo 8GB 1xGB, 2Rx4, PC3-10600 CL9, 49Y1415 49Y1415")
}} "Оперативная память 501534-001 HP 4GB DDR3 1333MHZECC REGISTERED CAS 9 501534-001")
}} "Оперативная память Hynix 64GB DDR4 2933 MT/s HMAA8GR7MJR4N-WMTG HMAA8GR7MJR4N-WMTG")
}} "Оперативная память Hynix 16GB DDR3 1600MHz, HMT82GV7DMR4A-PB HMT82GV7DMR4A-PB")
}} "Оперативная память A02-M316GB1-L Cisco 16GB DDR3-1333MHz RDIMM/PC3-10600/dual rank/Low-Dual Volt A02-M316GB1-L")