Оперативная память Hynix 2GB PC3-10600 DDR3-1333MHz non-ECC Unbuffered CL9 240-Pin DIMM Single Rank [HMT325U6BFR8C-H9]
Арт. HMT325U6BFR8C-H9
553 ₽
Производитель: Hynix
Форм-фактор памяти: DIMM
Тактовая частота: 1333 МГц
Пропускная способность памяти: 10600
Объем памяти: 2 ГБ
Напряжение питания: 1.5 В
CAS Latency (CL): 9
Оперативная память Hynix 2 ГБ DDR3 1333 МГц DIMM CL9 HMT325S6BFR8C-H9 - это высококачественный модуль памяти, разработанный для обеспечения максимальной производительности и стабильности работы вашего оборудования.
Оперативная память Hynix имеет объем одного модуля 2 ГБ, что позволяет увеличить производительность вашего оборудования и улучшить его возможности обработки данных.
Тактовая частота оперативной памяти составляет 1333 МГц, что обеспечивает высокую пропускную способность и позволяет вашему оборудованию обрабатывать данные быстрее.
Пропускная способность оперативной памяти Hynix составляет 10600 МБ/с, что гарантирует быструю и эффективную работу вашего оборудования.
Напряжение питания оперативной памяти составляет 1.5 В, что обеспечивает стабильную работу и продлевает срок службы модуля памяти.
Форм-фактор памяти: DIMM
Тактовая частота: 1333 МГц
Пропускная способность памяти: 10600
Объем памяти: 2 ГБ
Напряжение питания: 1.5 В
CAS Latency (CL): 9
Оперативная память Hynix 2 ГБ DDR3 1333 МГц DIMM CL9 HMT325S6BFR8C-H9 - это высококачественный модуль памяти, разработанный для обеспечения максимальной производительности и стабильности работы вашего оборудования.
Оперативная память Hynix имеет объем одного модуля 2 ГБ, что позволяет увеличить производительность вашего оборудования и улучшить его возможности обработки данных.
Тактовая частота оперативной памяти составляет 1333 МГц, что обеспечивает высокую пропускную способность и позволяет вашему оборудованию обрабатывать данные быстрее.
Пропускная способность оперативной памяти Hynix составляет 10600 МБ/с, что гарантирует быструю и эффективную работу вашего оборудования.
Напряжение питания оперативной памяти составляет 1.5 В, что обеспечивает стабильную работу и продлевает срок службы модуля памяти.