Оперативная память Samsung 8Gb 3200MHz DIMM M393A1K43DB2-CWE
Артикул:
M393A1K43DB2-CWE [Bouz]
Категория
Поставщик
ООО "Б"
Телефон поставщика
+7 (495) 492-45-68
Email поставщика
sales@b.ru
Сайт поставщика
https://b.ru/
Наличие
Есть в наличии (
9999
)
Поставщик
9 128
руб.
Оперативная память Samsung M393A1K43DB2-CWE емкостью 8Gb и частотой 3200MHz представляет собой передовое решение для вашей системы. Этот модуль DDR4 ECC CL22 обеспечивает не только высокую производительность, но и надежность работы в условиях интенсивного использования.
Samsung известен своими инновационными разработками в области компьютерных технологий, и оперативная память M393A1K43DB2-CWE не исключение. Благодаря технологии ECC, этот модуль способен автоматически исправлять ошибки, обеспечивая безукоризненную работу системы даже при возникновении неожиданных сбоев.
С частотой 3200MHz оперативная память Samsung обеспечивает быструю передачу данных и низкую задержку, что делает ее идеальным выбором для геймеров, профессионалов в области мультимедиа и других пользователей, требующих высокой производительности от своих систем.
Характеристики:
Емкость: 8Gb
Тип памяти: DDR4
Частота: 3200MHz
Тип модуля: DIMM
Технология коррекции ошибок: ECC (Error-Correcting Code)
Задержка CAS (CL): 22
Напряжение питания: 1.2V
Совместимость: Совместима с большинством современных систем и материнских плат, поддерживающих стандарт DDR4
Samsung известен своими инновационными разработками в области компьютерных технологий, и оперативная память M393A1K43DB2-CWE не исключение. Благодаря технологии ECC, этот модуль способен автоматически исправлять ошибки, обеспечивая безукоризненную работу системы даже при возникновении неожиданных сбоев.
С частотой 3200MHz оперативная память Samsung обеспечивает быструю передачу данных и низкую задержку, что делает ее идеальным выбором для геймеров, профессионалов в области мультимедиа и других пользователей, требующих высокой производительности от своих систем.
Характеристики:
Емкость: 8Gb
Тип памяти: DDR4
Частота: 3200MHz
Тип модуля: DIMM
Технология коррекции ошибок: ECC (Error-Correcting Code)
Задержка CAS (CL): 22
Напряжение питания: 1.2V
Совместимость: Совместима с большинством современных систем и материнских плат, поддерживающих стандарт DDR4
Характеристики:
-
Базовая единицашт
-
Время задержки CAS21
-
Объем модуля DRAM, Гб8
-
Поддержка ECC памятиДа
-
ПроизводительSamsung
-
Тактовая частота памяти3200 МГц
-
Тип оперативной памятиDDR4
-
Тип устройстваПамять
-
Форм-фактор памятиRDIMM
-
ПоставщикООО "Б"
-
Телефон поставщика+7 (495) 492-45-68
-
Email поставщикаsales@b.ru
-
Сайт поставщикаhttps://b.ru/