Оперативная память Samsung M323R1GB4DB0-CWM
Арт. M323R1GB4DB0-CWM
4698 ₽
Модель: M323R1GB4DB0-CWM
PN: M323R1GB4DB0-CWM
Производитель: Samsung
Срок гарантии: 1 год
Тип памяти: DDR5
Поддержка XMP: нет
Поддержка ECC: нет
Подсветка: нет
Форм фактор: UDIMM
Количество контактов: 288
Тактовая частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Объём: 1 модуль 8Gb
Общий объём: 8 Гб
Поддержка EXPO: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
CAS Latency (CL): 40
Напряжение питания: 1.1 В
Радиатор: нет
Количество ранков: 1
Упаковка чипов: односторонняя
Старая цена: 5355
Все характеристики
PN: M323R1GB4DB0-CWM
Производитель: Samsung
Срок гарантии: 1 год
Тип памяти: DDR5
Поддержка XMP: нет
Поддержка ECC: нет
Подсветка: нет
Форм фактор: UDIMM
Количество контактов: 288
Тактовая частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Объём: 1 модуль 8Gb
Общий объём: 8 Гб
Поддержка EXPO: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
CAS Latency (CL): 40
Напряжение питания: 1.1 В
Радиатор: нет
Количество ранков: 1
Упаковка чипов: односторонняя
Старая цена: 5355
Основные характеристики
Производитель
Samsung
Samsung
смотреть в других:
смотреть в других:
Модель
M323R1GB4DB0-CWM
PN
M323R1GB4DB0-CWM
Тип памяти
DDR5
Форм фактор
UDIMM
UDIMM
смотреть в других:
смотреть в других:
Количество контактов
288
288
смотреть в других:
смотреть в других:
Тактовая частота
5600 МГц
5600 МГц
смотреть в других:
смотреть в других:
Пропускная способность
44800 Мб/с
44800 Мб/с
смотреть в других:
смотреть в других:
Объём
1 модуль 8Gb
1 модуль 8Gb
смотреть в других:
смотреть в других: