Оперативная память Samsung M393A1K43DB2-CWE
Арт. M393A1K43DB2-CWE
5725 ₽
PN: M393A1K43DB2-CWE
Производитель: Samsung
Вес (брутто, кг): 0.09
Срок гарантии: 1 год
Тип памяти: DDR4
Поддержка XMP: нет
Поддержка ECC: есть
Подсветка: нет
Форм фактор: DIMM
Количество контактов: 288
Тактовая частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Объём: 1 модуль 8Gb
Общий объём: 8 Гб
Поддержка EXPO: нет
Буферизованная (Registered): да
Низкопрофильная (Low Profile): нет
CAS Latency (CL): 21
RAS to CAS Delay (tRCD): 22
Row Precharge Delay (tRP): 22
Напряжение питания: 1.2 В
Радиатор: нет
Количество ранков: 1
Количество чипов: 18
Упаковка чипов: односторонняя
Activate to Precharge Delay (tRAS): 46
Старая цена: 6298
Все характеристики
Производитель: Samsung
Вес (брутто, кг): 0.09
Срок гарантии: 1 год
Тип памяти: DDR4
Поддержка XMP: нет
Поддержка ECC: есть
Подсветка: нет
Форм фактор: DIMM
Количество контактов: 288
Тактовая частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Объём: 1 модуль 8Gb
Общий объём: 8 Гб
Поддержка EXPO: нет
Буферизованная (Registered): да
Низкопрофильная (Low Profile): нет
CAS Latency (CL): 21
RAS to CAS Delay (tRCD): 22
Row Precharge Delay (tRP): 22
Напряжение питания: 1.2 В
Радиатор: нет
Количество ранков: 1
Количество чипов: 18
Упаковка чипов: односторонняя
Activate to Precharge Delay (tRAS): 46
Старая цена: 6298
Основные характеристики
Производитель
Samsung
Samsung
смотреть в других:
смотреть в других:
PN
M393A1K43DB2-CWE
Тип памяти
DDR4
Форм фактор
DIMM
DIMM
смотреть в других:
смотреть в других:
Количество контактов
288
288
смотреть в других:
смотреть в других:
Тактовая частота
3200 МГц
3200 МГц
смотреть в других:
смотреть в других:
Пропускная способность
25600 Мб/с
25600 Мб/с
смотреть в других:
смотреть в других:
Объём
1 модуль 8Gb
1 модуль 8Gb
смотреть в других:
смотреть в других:
Общий объём
8 Гб
Поддержка XMP
нет
Поддержка EXPO
нет