Оперативная память Samsung M425R4GA3BB0-CWM
Арт. M425R4GA3BB0-CWM
12111 ₽
Модель: M425R4GA3BB0-CWM
PN: M425R4GA3BB0-CWM
Производитель: Samsung
Срок гарантии: 1 год
Тип памяти: DDR5
Поддержка XMP: нет
Поддержка ECC: нет
Подсветка: нет
Форм фактор: SODIMM
Количество контактов: 262
Тактовая частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Объём: 1 модуль 32Gb
Общий объём: 32 Гб
Поддержка EXPO: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
CAS Latency (CL): 46
RAS to CAS Delay (tRCD): 45
Row Precharge Delay (tRP): 45
Напряжение питания: 1.1 В
Радиатор: нет
Количество чипов: 16
Упаковка чипов: двусторонняя
Старая цена: 13564
Все характеристики
PN: M425R4GA3BB0-CWM
Производитель: Samsung
Срок гарантии: 1 год
Тип памяти: DDR5
Поддержка XMP: нет
Поддержка ECC: нет
Подсветка: нет
Форм фактор: SODIMM
Количество контактов: 262
Тактовая частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Объём: 1 модуль 32Gb
Общий объём: 32 Гб
Поддержка EXPO: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
CAS Latency (CL): 46
RAS to CAS Delay (tRCD): 45
Row Precharge Delay (tRP): 45
Напряжение питания: 1.1 В
Радиатор: нет
Количество чипов: 16
Упаковка чипов: двусторонняя
Старая цена: 13564
Основные характеристики
Производитель
Samsung
Samsung
смотреть в других:
смотреть в других:
Модель
M425R4GA3BB0-CWM
PN
M425R4GA3BB0-CWM
Тип памяти
DDR5
Форм фактор
SODIMM
SODIMM
смотреть в других:
смотреть в других:
Количество контактов
262
262
смотреть в других:
смотреть в других:
Тактовая частота
5600 МГц
5600 МГц
смотреть в других:
смотреть в других:
Пропускная способность
44800 Мб/с
44800 Мб/с
смотреть в других:
смотреть в других:
Объём
1 модуль 32Gb
1 модуль 32Gb
смотреть в других:
смотреть в других:
Общий объём
32 Гб