Оперативная память Samsung M471A1G44BB0-CWE
Арт. M471A1G44BB0-CWE
2642 ₽
Модель: M471A1G44BB0-CWE
PN: M471A1G44BB0-CWE
Производитель: Samsung
Срок гарантии: 1 год
Тип памяти: DDR4
Поддержка XMP: нет
Поддержка ECC: нет
Подсветка: нет
Форм фактор: SODIMM
Количество контактов: 260
Тактовая частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Объём: 1 модуль 8Gb
Общий объём: 8 Гб
Поддержка EXPO: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
CAS Latency (CL): 22
RAS to CAS Delay (tRCD): 22
Row Precharge Delay (tRP): 22
Напряжение питания: 1.2 В
Радиатор: нет
Упаковка чипов: двусторонняя
Старая цена: 3083
Все характеристики
PN: M471A1G44BB0-CWE
Производитель: Samsung
Срок гарантии: 1 год
Тип памяти: DDR4
Поддержка XMP: нет
Поддержка ECC: нет
Подсветка: нет
Форм фактор: SODIMM
Количество контактов: 260
Тактовая частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Объём: 1 модуль 8Gb
Общий объём: 8 Гб
Поддержка EXPO: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
CAS Latency (CL): 22
RAS to CAS Delay (tRCD): 22
Row Precharge Delay (tRP): 22
Напряжение питания: 1.2 В
Радиатор: нет
Упаковка чипов: двусторонняя
Старая цена: 3083
Основные характеристики
Производитель
Samsung
Samsung
смотреть в других:
смотреть в других:
Модель
M471A1G44BB0-CWE
PN
M471A1G44BB0-CWE
Тип памяти
DDR4
Форм фактор
SODIMM
SODIMM
смотреть в других:
смотреть в других:
Количество контактов
260
260
смотреть в других:
смотреть в других:
Тактовая частота
3200 МГц
3200 МГц
смотреть в других:
смотреть в других:
Пропускная способность
25600 Мб/с
25600 Мб/с
смотреть в других:
смотреть в других:
Объём
1 модуль 8Gb
1 модуль 8Gb
смотреть в других:
смотреть в других:
Общий объём
8 Гб