Samsung 64GB DDR5-6400 RDIMM 2Rx4 ECC Registered Memory M321R8GA0PB2-CCPWC M321R8GA0PB2-CCP
ОПИСАНИЕ
Samsung M321R8GA0PB2-CCPWC — модуль оперативной памяти 64GB DDR5-6400 MHz RDIMM (Registered DIMM) 2Rx4 (Dual Rank x4) с поддержкой ECC для серверов нового поколения. Парт-номер M321R8GA0PB2-CCPWC, альтернативные M321R8GA0PB2-CCP, CAS Latency CL52, напряжение 1.1V, пропускная способность 51200 MB/s (PC5-51200). Совместима с Intel Xeon 5-го поколения (Granite Rapids), AMD EPYC 9005-серия, серверами Dell, HP, Lenovo, Supermicro платформами. M321R8GA0PB2-CCPWC.
ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
– Парт-номер: M321R8GA0PB2-CCPWC (альт: M321R8GA0PB2-CCP, M321R8GA0PB2-CCPHC, M321R8GA0PB2-CCPKC)
– Производитель: Samsung
– Объём: 64 ГБ
– Тип памяти: DDR5 SDRAM
– Форм-фактор: 288-pin RDIMM (Registered DIMM)
– Частота: 6400 МГц
– Стандарт: PC5-51200 (DDR5-6400)
– CAS Latency (CL): 52 (52-52-52)
– Архитектура: 2Rx4 (Dual Rank x4)
– Организация: 8Gx72, FBGA DRAM чипов 4Gx4
– Пропускная способность: 51200 MB/s
– ECC: Да (Error-Correcting Code)
– Регистровая буферизация: Да
– Напряжение питания: 1.1V
– Совместимость: Intel Xeon 5-го поколения (Granite Rapids), AMD EPYC 9005-серия, Dell, HP, Lenovo, Supermicro серверы
– Температурный диапазон: 0°C–95°C (коммерческий)
ПРЕИМУЩЕСТВА
– 64GB объём для интенсивных высоконагруженных приложений
– 6400 МГц частота обеспечивает максимальную производительность новых серверов
– 51200 MB/s пропускная способность для быстрой передачи данных
– 2Rx4 архитектура стандартна для серверных платформ 5-го поколения
– Поддержка ECC гарантирует исправление ошибок памяти
– Registered DIMM для стабильности в многопроцессорных конфигурациях
– Низкое энергопотребление 1.1V
– CL52 латенция оптимальна для новых Intel Xeon и AMD EPYC процессоров
– Совместимость с ведущими производителями серверов
– Поддержка современных облачных и AI приложений
Samsung M321R8GA0PB2-CCPWC — мощный модуль серверной памяти 64GB DDR5-6400 для современных корпоративных серверов и центров обработки данных.