SSD накопитель Gigabyte Aorus Gen5 14000 4Tb (AG514K4TB)

SSD накопитель Gigabyte Aorus Gen5 14000 4Tb (AG514K4TB) представляет собой высокопроизводительное решение для хранения данных, разработанное для энтузиастов, геймеров и профессионалов, которым требуется максимальная скорость и эффективность. Этот накопитель значительно ускоряет загрузку операционной системы, приложений и игр, обеспечивая плавную работу и минимальные задержки.

Основой SSD накопителя Gigabyte Aorus Gen5 14000 4Tb (AG514K4TB) является контроллер Phison PS5026-E26, произведенный по 12-нм техпроцессу, который обеспечивает достаточную вычислительную мощность для обработки данных на экстремальных скоростях. В сочетании с новейшей 232-слойной 3D TLC NAND Flash памятью, этот SSD устанавливает новые стандарты производительности в своем классе. Накопитель поддерживает до 8 каналов NAND Flash с 32CEs и оснащен кэш-памятью DDR4 объемом 8192 МБ, что дополнительно повышает его отклик и скорость работы.

Интерфейс PCI Express 5.0 x4 и соответствие стандарту NVMe 2.0 позволяют достигать впечатляющих скоростей последовательного чтения до 14100 МБ/с и последовательной записи до 12600 МБ/с. Это обеспечивает вдвое большую скорость передачи данных по сравнению с предыдущим поколением PCIe 4.0 x4. Для поддержания оптимальной производительности и предотвращения термического троттлинга при высоких нагрузках, производитель рекомендует использовать SSD накопитель Gigabyte Aorus Gen5 14000 4Tb (AG514K4TB) с радиатором, интегрированным в материнскую плату.

Для удобства управления и мониторинга состояния накопителя предусмотрено унифицированное программное обеспечение GIGABYTE CONTROL CENTER (GCC), которое предоставляет интуитивно понятный пользовательский интерфейс для контроля всех основных функций.

Основные технические характеристики:

• Объем: 4 ТБ (4000 ГБ)
• Форм-фактор: M.2 2280
• Интерфейс: PCI Express 5.0 x4, NVMe 2.0
• Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND (232-слойная)
• Контроллер: Phison PS5026-E26
• Скорость последовательного чтения: до 14100 МБ/с
• Скорость последовательной записи: до 12600 МБ/с
• Ресурс записи (TBW): 3000 ТБ
• Время наработки на отказ (MTBF): 1 600 000 часов
• DRAM-буфер: 8192 МБ (DDR4)
• Энергопотребление (чтение/запись): 11.5 Вт
• Энергопотребление (ожидание): 0.144 Вт
• Толщина: 3.5 мм
• Гарантия: Ограниченная 5-летняя